Aukštos kokybės silicio karbidas / švitras

Silicio karbido proceso srautas: itin aukštos temperatūros aplinka: kaitinimas iki daugiau nei 2500 laipsnių per plazmą arba lanką, kad būtų pasiekta momentinė reakcija. Greita sintezė: reakcijos laikas sutrumpėja iki kelių valandų ir tiesiogiai susidaro didelio grynumo SiC.

Privalumai: Produktas pasižymi dideliu grynumu (＞99,9%) ir puikia kristalų struktūra.

Nėra tarpinių produktų, kurie būtų tinkami nano masto SiC ruošti. Trūkumai: brangi įranga ir itin didelės energijos sąnaudos. Ši technologija yra sudėtinga ir sunkiai pritaikoma dideliu mastu. Taikymas: aukščiausios klasės laukai, tokie kaip puslaidininkiai ir optinės dangos. Kiti procesai: cheminis nusodinimas garais (CVD): naudojamas plonai plėvelei arba monokristaliniam SiC, kaina yra labai didelė. Sol-gelio metodas: tinka mažoms nano-SiC partijoms laboratorijoje, o industrializacija yra sudėtinga.

A: Pirkėjas atsiųskite užklausą → gaukite silicio karbido pasiūlymą → užsakymo patvirtinimas → Pirkėjas pasirūpina 30% užstatu → Gamyba pradėta gavus užstatą → Griežtas patikrinimas gamybos metu → Pirkėjas organizuoja likučio apmokėjimą → Pakavimas → Pristatymas pagal prekybos sąlygas

Populiarus Žymos: aukštos kokybės silicio karbidas / švitras, Kinijos aukštos kokybės silicio karbido / švitrinio popieriaus gamintojai, tiekėjai, gamykla