Puslaidininkio klasės silicio karbidas – energijos ateitis
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ Ω·cm, mikrovamzdžio tankis:<1 cm⁻²
Paviršiaus šiurkštumas: Ra Mažesnis arba lygus 0,2 nm (parengta EPI) Mūsų 150 mm N tipo plokštelės (4 laipsniai nuo ašies) leidžia gaminti 3,3 kV SiC MOSFET su 99,7 % išeigos koeficientu, o tai labai svarbu EV įkrovimo infrastruktūrai.
Modifikuotos programos
Legiruotas SiC: aliuminis (5x10¹8 atomai/cm³), skirtas ominiams kontaktams
SiC epitaksiniai pagrindai: 10–100 μm storio, o storio pokytis yra mažesnis nei 5 %
Quantum-grade SiC: NV center density >500/mm³ kvantiniam jutimui
Silicio karbido parametrai
|
Prekės ženklas |
ZhenAn |
|
Produktas |
Silicio karbidas |
|
Grynumas |
88% 90% 98% |
|
Forma |
Smulkiai ir milteliai |
|
HS kodas |
284920 |
Kokybiška lyderystė
100 švarių patalpų eksploatavimo klasės (ISO 14644-1), įdiegiame VDA 6.3 procesų valdiklius ir SEMI S2/S8 atitiktį. Bendradarbiaudami su Fraunhoferio institutu, sukūrėme patentuotą defektų kartografavimo technologiją, kuri pasiekia 0,02 ppb metalinio užterštumo lygį. Mūsų plokštelių siuntimo rinkiniuose yra azotu uždarytos kasetės su drėgmės stebėjimu realiuoju laiku.
Populiarus Žymos: silicio karbidas ugniai atsparioms abrazyvinėms medžiagoms, Kinijos silicio karbidas ugniai atsparių abrazyvinių medžiagų gamintojams, tiekėjams, gamykloms