Išskirtinis kietumas ir mechaninis stiprumas
Mohs kietumas ~ 9,5, antra tik deimantams ir boro nitridui.
Aukštasatsparumas nusidėvėjimui, todėl jis idealiai tinka abrazyviniams pritaikymams (pvz., Šlifavimo ratams, pjovimo įrankiams).
Palaiko mechaninį stabilumą net esant dideliam stresui.
Plačiosios juostos puslaidininkių savybės
3,26 eV (4H-SIC) juostos juosta, žymiai didesnis nei silicis (1,12 eV).
Įgalina operacijąaukštesnė įtampa, temperatūra ir dažnis.
Sumažina energijos nuostolius energijos elektronikoje.
AukštasKritinis elektrinio lauko stiprumas(10x - silicio), leidžiantis plonesnius, efektyvesnius įrenginių dizainus.
Išskirtinės šiluminės savybės
Didelis šilumos laidumas (~ 490 W/M · K 4H-SIC kambario temperatūroje), viršija daugumą metalų ir puslaidininkių.
PuikuŠilumos išsisklaidymas, lemiami galios elektronikai ir aukšto dažnio įrenginiams.
Šilumos stabilumas iki 1600 laipsnių(lydymosi taškas ~ 2700 laipsnių), tinkamas ekstremalioms aplinkoms (pvz., Aerospace, branduoliniams reaktoriams).
Pagrindiniai pranašumai, palyginti su tradicinėmis medžiagomis
| Nuosavybė | Silicio karbidas (sic) | Silicis (SI) | Galio nitridas (Gan) |
|---|---|---|---|
| BandGAP (EV) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Šilumos laidumas | Aukštas (~ 490 W/M · k) | Žemas (~ 150 W/M · k) | Vidutinis (~ 253 W/M · k) |
| „Max“ operacinė temp. | ~ 600 laipsnių + | ~ 150 laipsnių | ~ 300 laipsnių |
| Elektrinis lauko stiprumas | 10x si | Pradinė | ~ 3x si |
Populiarus Žymos: Pagrindinės silicio karbido SIC charakteristikos, Kinijos pagrindinės silicio karbido SIC gamintojų, tiekėjų, gamyklos charakteristikos