Vienas iš aukšto lygio metalų silicio nitrido

Naudojant aliuminio oksido-yttrium oksidą kaip sukepinimo pagalbą, buvo naudojamas specialus volframo karbido rutulio malūnas ir rutulio malūnas, kad į Volframo karbidą (WC) būtų įvežtas į Volframo karbidą (WC)Silicio nitridasKeramika naudojant mechaninį rutulinį frezavimą ir išmetimo plazmos sukepinimo technologija (SPS) buvo naudojama greitam sukepinimui ir fazės silicio nitridų keramika, pasižyminčia didelėmis mechaninėmis savybėmis. Volframo karbido įvedimas efektyviai sumažina fazių kritulių ir nuolatinio augimo aktyvacijos energiją, skatina silicio nitrido keramikos fazės perėjimą → ir suvokia sukepintų mėginių tankinimą. Padidėjus volframo karbido įvedimui, sukepinto mėginio lenkimo stiprumas smarkiai padidėja nuo 729MPa iki 1090MPa, o tai padidėja 49,5%.

1.Si3n4 spinduliuotės medžiaga, kurios santykinis tankis yra 0. 72, vienoda struktūra, 89 MPa lankstumo stipris ir geros dielektrinės savybės buvo suklijuotas esant atmosferos slėgiui, esant 1 510 laipsniui, esant valdymo atmosferai 1 510 laipsniu. „Nanopowder“ žaliavoje yra didelis kiekis SiO2, kuris gali skatinti žaliojo kūno sukepinimą ir turėti didelę įtaką porceliano dielektrinėms savybėms. Dėl žalio kūno susitraukimo dielektrinė konstanta padidėja padidėjus sukepinimo temperatūrai prieš tankinimą. Kai temperatūra yra aukštesnė nei 1 510 laipsnio, padidėjus sukepinimo temperatūrai, padidėja nitriduojančių Si-O skaičius žaliavoje, padidėja makroskopiniai porceliano kūno defektai, o santykinis tankis mažėja, todėl mažėja dielektrinės konstantos konstantas. Esant {1 510 laipsnio sukepinimo temperatūrai, SI-O žaliame kūne negalima nitriduoti be įterpimo. Kai įterptą medžiagą naudojami grafito milteliai, įvyksta karbuzavimas, o tai sumažina dielektrinių savybesSilicio nitridasRadomo medžiaga.

Populiarus Žymos: Vienas iš aukšto lygio metalų silicio nitrido, Kinija, viena iš aukšto lygio metalų silicio nitridų gamintojų, tiekėjų, gamyklos