Elektriniai pranašumai prieš silicį
Mažesnis pasipriešinimas įjungimui (Rₒₙ), sumažinantis laidumo nuostolius.
Didesnis elektronų prisotinimo greitis, leidžiantis padidinti perjungimo greitį (RF ir maitinimo įrenginių raktas).
Mažesnis energijos išsklaidymas, geresnis elektros energijos vartojimo efektyvumas, atsinaujinančios energijos sistemos ir 5G infrastruktūra.
Optinės savybės
Kai kurie SiC politipai (pvz., 6H-SiC) yra pusiau skaidrūs UV spinduliuose matomuose spektruose, naudingi optoelektronikos reikmėms.
Cheminis inertiškumas ir atsparumas korozijai
Labai atsparus oksidacijai, rūgštims ir šarmams.
Patikimai veikia korozinėje arba aukštos temperatūros aplinkoje (pvz., pramoninėse krosnyse, cheminiuose reaktoriuose).
silicio karbido pokyčiai
Didelė gamybos savikainadėl sudėtingo kristalų augimo (pvz., PVT metodas).
Defektų jautrumas(mikrovamzdžiai, dislokacijos), turinčios įtakos plokštelių kokybei.
Riboti vaflių dydžiai(6–8 colių, palyginti su Si 12 colių), nors pažanga vyksta.
Išvada
Neprilygstamas SiC mechaninio tvirtumo, terminio stabilumo ir puikių elektrinių savybių derinys daro jį transformuojančia medžiaga naujos kartos galios elektronikai, elektrinėms transporto priemonėms ir atšiaurioms aplinkos sąlygoms. Tobulėjant gamybos technologijoms, SiC turėtų išstumti silicį didelio našumo sektoriuose.
Populiarus Žymos: silicio karbido ypatybė, Kinijos silicio karbido gamintojų, tiekėjų, gamyklos savybė