Pagrindinės silicio karbido SiC charakteristikos

Pagrindinės silicio karbido SiC charakteristikos

Silicio karbidas (SiC) yra sudėtinė puslaidininkinė medžiaga, sudaryta iš silicio ir anglies, garsėjanti unikaliu fizinių, šiluminių ir elektroninių savybių deriniu.
Siųsti užklausą
Aprašymas

Išskirtinis kietumas ir mechaninis stiprumas

 

Moso kietumas ~9,5, nusileidžia tik deimantams ir boro nitridui.

Aukštasatsparumas dilimui, todėl puikiai tinka abrazyviniams darbams (pvz., šlifavimo diskams, pjovimo įrankiams).

Išlaiko mechaninį stabilumą net esant dideliam įtempimui.

silicon carbide

Plataus diapazono puslaidininkių savybės

 

Pralaidumas 3,26 eV (4H-SiC), žymiai didesnis už silicį (1,12 eV).

Įgalina veiktiaukštesnė įtampa, temperatūra ir dažniai.

Sumažina energijos nuostolius galios elektronikoje.

Aukštaskritinis elektrinio lauko stiprumas(10 kartų daugiau nei silicio), todėl prietaisai gali būti plonesni ir efektyvesni.

 

Išskirtinės šiluminės savybės

 

Didelis šilumos laidumas (~490 W/m·K 4H-SiC kambario temperatūroje), lenkia daugumą metalų ir puslaidininkių.

Puikiaišilumos išsklaidymo, itin svarbus galios elektronikai ir aukšto dažnio įrenginiams.

Šiluminis stabilumas iki 1600 laipsnių(lydymosi temperatūra ~2700 laipsnių), tinka ekstremalioms aplinkoms (pvz., aviacijai, branduoliniams reaktoriams).

silicon carbide

Pagrindiniai pranašumai prieš tradicines medžiagas

 

Turtas Silicio karbidas (SiC) Silicis (Si) Galio nitridas (GaN)
Bandgap (eV) 3.26 1.12 3.4
Šilumos laidumas Didelis (~ 490 W/m·K) Žemas (~150 W/m·K) Vidutinis (~253 W/m·K)
Maksimali darbo temp. ~600 laipsnių + ~150 laipsnių ~300 laipsnių
Elektrinio lauko stiprumas 10x Si Bazinė linija ~3x Si

Populiarus Žymos: pagrindinės silicio karbido charakteristikos, Kinijos pagrindinės silicio karbido gamintojų, tiekėjų, gamyklos charakteristikos