Produktų aprašymas
TMAH gali žymiai padidinti zeta potencialąsilicio karbidasmiltelius ir sumažinti srutų klampumą, taip žymiai optimizuojant srutų reologines savybes. Esant maždaug 10 pH, zeta potencialas padidėjo atitinkamai 11,7 mV ir 21 mV, pridėjus 0,3 % ir 0,6 % TMAH. Dispergento perteklius padidins jonų koncentraciją srutoje ir sumažins elektrinio dvigubo sluoksnio storį, todėl pablogės srutų reologija.
Gaminių parametrai
| Modelis | Komponentas % | |||
| 60# | SiC | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 70# | 65min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 75# | 70min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 80# | 75min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 85# | 80min | 3-6 | 3.5max | |
| 90# | 85min | 2.5max | 3.5max | |
| 95# | 90min | 1.0max | 1.2max | |
| 97# | 95min | 0.6max | 1.2max | |
Produktų bendradarbiavimo nuotrauka
1.Siliciu modifikuotų plonų plėvelių paruošimo ant reaktyvaus sukepinimo metodassilicio karbidas(RB-SiC) medžiagos, naudojant Hall tipo jonų šaltinį, padedantį išgaruoti elektronų pluoštą, ir buvo tiriamas modifikuotų plėvelių poliravimo efektas esant skirtingam nusodinimo greičiui. Mėginiams buvo atlikti paviršiaus sklaidos ir atspindžio matavimai. Mėginių mikrografijos rodo, kad didėjant nusėdimo greičiui silicio plėvelės sluoksnio struktūra yra laisva. Smulkiai nupoliravus silicio karbido bandinių, padengtų siliciu modifikuotomis plėvelėmis, reaktyvų sukepinimą, paviršiaus sklaidos koeficientas sumažėja iki 1,46%, o atspindys artimas gerai poliruoto stiklo keramikos. Temperatūros smūgio bandymas ir paviršiaus tempimo bandymas rodo, kad silicio plėvelė netrūkinėja ir nenukrenta, yra stabili ir gerai derinama su silicio karbido pagrindu.
Populiarus Žymos: aukšto lygio gaminių silicio karbidas, Kinijos aukšto lygio gaminių silicio karbido gamintojai, tiekėjai, gamykla